德国纽伦堡，2025年5月6日——全球电力电子行业年度盛会PCIM Europe 2025在德国纽伦堡展览中心盛大开幕。作为中国功率半导体领域的领军企业，赛晶半导体携多款前沿产品及解决方案亮相展会（展位号：Hall 7, Booth 479），展示了其在碳化硅（SiC）、IGBT及功率模块领域的最新突破，引发行业高度关注。
聚焦创新：重磅产品与技术全球首发
本届展会上，赛晶半导体首次向全球发布了一款核心产品，即：m23 1400V 100A SiC MOSFET芯片,彰显其强劲的技术研发实力：
在光伏和储能领域，SiC（碳化硅）半导体技术因其独特的材料特性，在高压、高频、高温应用中展现出显著优势。1400V SiC器件能够更可靠地应用于光伏、储能2000V系统的高压场景，提高系统功率密度及能量转换效率，降低系统成本。
1400V SiC技术通过高效率、高压耐受性、高温稳定性等优势，成为推动光伏和储能2000V系统发展的关键。随着成本下降和国产化加速，SiC将进一步赋能高压系统的降本增效，并在可再生能源领域占据更核心的地位。
展会现场，赛晶还展示了m23 1200V,100A SiC power MOSFET芯片、i23 1200V, 150A-300A micro pattern lGBT 300mm芯片、i23 1700V, 300A micro pattern lGBT 200mm芯片、i20 1200V 100A-250A fine pattern IGBT 300mm芯片以及其他模块系列产品，吸引众多国内外客户驻足交流。
技术对话：共谋能源转型新路径
展会同期，赛晶半导体的四位技术专家受邀出席高峰论坛，各自向与会者分享了自己最新研发成果：
Sven Matthias
论文标题：
《面向62mm功率模块的自动化优化设计：性能与可靠性提升》
"Automation-Optimized Design for 62mm Power Modules: Enhanced Performance and Reliability"
核心内容：
本文针对经典的 62 mm IGBT 模块提出了一种超紧凑基板设计和自动化友好型组装工艺，从而提高了电气性能和可靠性。该设计通过在三维空间实施栅极轨道，最大限度地减少了栅极连接空间，从而最大限度地扩大了功率器件的空间。紧凑的集成实现了 Ls = 10 nH 的低内部杂散电感，并降低了连接电阻。这种方法提高了功率密度，同时改善了制造自动化并确保了稳健的电气连接。结构和电气特性测试证实了模块的完整性和可靠性，功率循环和开关性能测试则验证了模块的大电流处理能力。所提出的设计大大提高了性能和制造效率，使其成为下一代电力电子器件的有力候选者。
Nick Gilles Schneider
论文标题：
《采用新型微沟槽栅IGBT的900A 1200V ED模块：局部载流子限制控制技术》
"900 A 1200 V ED Module with New Micro pattern Trench lGBT Featuring Local Carrier Confinement Control"
核心内容：
新型SwissSEM 900A/1200V ED型模块采用了具有先进电流密度的微沟槽IGBT芯片组。相较于上一代产品，该模块在关断损耗相近的情况下，将集射极饱和电压（VCE,sat）降低了近400mV。文中提出了微沟槽IGBT的局部载流子限制控制技术（LCT），并通过实验验证了其优势。反向续流二极管经过优化，在恢复损耗不变的情况下，正向压降（VF）降低了250mV。此外，二极管与IGBT均展现出极高的鲁棒性，并具有优异的开关软特性。
此外，Raffael Schnell和Roger Stark也分别以《搭载i23微沟槽栅芯片组的高性能IGBT模块》和《基于应用场景运行温度的SiC MOSFET单元布局优化》为主题，分享了其最新技术成果，与会专家对赛晶半导体的技术创新表示高度认可，多家企业及高校研发中心均前往赛晶展台主动接洽合作意向。
PCIM Europe 2025不仅是技术展示的平台，更是推动全球能源转型的加速器。赛晶半导体通过前沿产品发布与技术成果分享，再次印证了其在功率半导体领域的领导地位。未来，公司将持续深耕碳化硅与IGBT技术，推动国产半导体高端化进程，并与全球合作伙伴共建绿色能源生态，助力“双碳”目标实现。
中国组展机构：盈拓展览，20多年行业经验，服务中国外贸企业超过万家。专业团队，精准定位，助力企业拓展海外市场。
下届展会时间：2027年05月11号~05月13号
展会行业：电子
