2009年DRAM产业的设备投资额将比上年减少40%～50%

　　台湾地区市场调研公司集邦科技预测，2009年DRAM产业的设备投资额将比上年减少40%～50%。该公司预测的2008年的设备投资额为134亿2530万美元，但预计2009年将降至70亿6400万美元。

集邦科技表示，台湾地区厂商力晶半导体（PSC）和瑞晶电子（Rexchip Electronics）将推迟50nm工艺技术的导入时间，目前只是先向65nm工艺过渡。这样，保持竞争力的同时可以大幅降低设备投资额。台湾南亚科技（Nanya Technology）和台湾华亚半导体（Inotera Memories, Inc.）将改用美国美光科技(Micron Technology)的堆栈技术，虽然不能大幅削减设备投资额，但预计技术过渡将进入更精密的阶段。初期阶段将导入68nm工艺技术，然后根据市场行情决定是否导入50nm工艺技术。韩国三星电子也计划削减设备投资额，集邦科技表示，从68nm工艺向56nm工艺的技术过渡，以及DDR3规格产品的市场份额将因此受到影响。

集邦科技还公布了DRAM的价格走向。现货价格稳定并维持上升趋势。2008年12月30日～2009年1月5日，1Gbit DDR2-DRAM的eTT芯片的现货价格为0.91美元。比最低标准的0.59美元上升了55%左右。这一期间，1Gbit DDR2-DRAM的677MHz芯片售价为0.77美元，价格有所恢复。

价格上升的主要原因是，除亚洲市场外，美国和欧洲市场在年终岁首的假期中并没有发生价格波动。另外，厂商做出的生产调整也起到了一定的作用。自PSC于2008年9月宣布调整生产后，尔必达内存、台湾茂德科技（ProMOS Technologies）、南亚科技以及华亚半导体相继公布了生产调整计划。从DRAM产业整体来看，产能约降低了20%。作为现货市场主要供应商的台湾厂商将产能削减了29%，其结果是现货市场的整体供货量也减少了36%。