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三星电子在中国投资40亿美元已获批准

2012-01-04 00:00 来源: 字号:【大 中 小】

据EE Times美国报道,半导体巨头三星有计划在中国建NAND闪存fab,目前项目正在审批中。

三星计划投资40亿美元,采用20纳米技术制造NAND闪存,量产后将满足中国客户智能手机与平板电脑市场需求。中国目前是全球最大的手机制造基地,相信是中国巨大的市场需要让三星下此决心。三星从今年9月开始用20纳米技术生产NAND闪存,每月产出达1万片。
三星电子
三星近期宣布全球最大的存储器厂在韩国开始量产。Line16生产NAND闪存月产能达20万片,累积投资达100亿美元。
Gartner预测2011全球NAND闪存市场增长20.6%达250亿美元,而2012与2013将分别增长14%达到287及327亿美元。
北京时间1月4日消息,韩国政府周三宣布,已经批准三星(微博)电子在中国投资40亿美元,建设一座闪存芯片工厂。这是三星第二座海外芯片工厂。

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