三星加速制程微缩　DRAM进入40纳米世代

    三星电子(Samsung Electronics)加速制程微缩,积极导入40纳米制程,第4季已开始小幅试产DDR3,预计2010年下半40纳米将成为主流制程,成本结构再度领先竞争同业,而美光 (Micron)阵营50纳米制程2010年大量产出,尔必达(Elpida)也将导入Extra 65纳米制程,之后跳40纳米制程,2010年全球DRAM产业成本进一步下滑.

    三星目前56纳米制程DRAM产能比重超过一半,并已开始小量采用新一代的40纳米制程生产DDR3芯片,成本结构再度领先同业,市调机构预估,年底前三星40纳米制程由于刚开始,因此产能比重还停在个位数,预计2010年第1季40纳米制程产能可超过10%.

    目前全球DRAM产业是4大阵营各占一方,虽然几乎没有新产能加入,但制程微缩和合作对象的改变,也牵动各厂版图风貌.

    以 2009年第3季全球市占率来看,三星电子仍是稳坐全球龙头,市占率超过30%,海力士(Hynix)市占率也超过20%,稳居二哥宝座,其次是尔必达和美光,两者合计策略联盟厂商,原本市占率相当接近,但尔必达市占率逐渐提升,拉开双方距离,然预计2010年各自导入新制程后,将会再有一番缠斗.

    相较于三星DRAM制程再度领先,海力士也将同步导入40纳米制程,而美光阵营包括南亚科和华亚科等,2010年将大量产出50纳米制程,由于华亚科整体13万片产能相当可观,预计2010年可协助美光阵营扩展市占率.

    再者,尔必达阵营也即将导入Extra 65纳米制程,在不用额外增添太多的资本支出下,维持成本下降的竞争力,业界也认为,尔必达Extra 65纳米制程的成本竞争力,其实不输海力士50纳米制程,加上2010年茂德为尔必达代工产能加入,也看好2010年尔必达的成长性.

    整体来看,三星目前仍是制程领先者,台厂原本两个世代制程,2010年可逐渐追上,2010年全球DRAM产业逐渐走向50/40纳米制程,驱动产业生产成本进一步下滑.