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氮化镓电源管理芯片市场将快速增长

2010-04-14 00:00 来源: 字号:【大 中 小】


据iSuppli公司,由于高端服务器、笔记本电脑、手机和有线通讯领域的快速增长,氮化鎵(GaN)电源管理半导体市场到2013年预计将达到1.836亿美元,而2010年实际上还几乎一片空白。

  GaN是面向电源管理芯片的一种新兴工艺技术,最近已从大学实验阶段进入商业化阶段。该技术对于供应商来说是一个有吸引力的市场机会,它可以向它们的客户提供目前半导体工艺材料可能无法企及的性能。

  iSuppli公司认为,在过去两年里,有几件事情使得GaN成为电源管理半导体领域中大有前途的新星。

  首先,硅在电源管理半导体中已经达到实际极限。另外,在硅上面生长GaN层已经取得突破。电源设计师也想开发更有效率的系统和升级高压产品,以消耗更少的电力。

  元件供应商已开始提供GaN器件。例如,国际整流器公司2月份推出了它的首款GaN负载点(POL)解决方案,Efficient Power Conversions Corp. (EPCC)正在全力开发GaN技术,本月推出了10款功率MOSFET器件。

  可改善效率

  GaN材料将使效率得到提高,使器件尺寸缩小,这些优点将促进GaN器件得到更广泛的接受。对于移动PC和智能手机等便携电子产品来说,这些好处都是求之不得的。对于企业服务器和有线通讯基础设备等耗电量较大的电子设备,GaN器件也具有许多好处。

  但是,由于采用GaN材料涉及较高的成本,所以2010和2011年上述应用对GaN技术的接受速度将比较缓慢。随着2012和2013年该技术的发展,以及制造GaN器件的成本下降,该技术将开始夺取传统MOSFET、驱动IC和电压调节IC的市场份额。

  最先采用GaN器件的很可能是服务器,因为服务器总是需要高性能器件,而且经常是第一个接受可以改善性能的新技术的产品领域。在未来三年,GaN器件出货量的主要推动者将是笔记本电脑,因其非常需要GaN来节省功率和缩小外形尺寸。

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